Чіп 30F131 GT30F131 TO-263-2 транзистор IGBT

30F131 це n-канальний біполярний транзистор c ізольованим затвором (IGBT). Транзистор в основному застосовується в плазмових панелях. Транзистор розрахований на напругу пробою 360 В і імпульсний струм затвора до 200 А. Напруга колектор-емітер 1,9 В при струмі 120 А.
Ціна вказана за одиницю товару. При покупці значних кількостей (для кожного чіпа індивідуально), можете вказати в коментарях до замовлення 'Запропонуйте знижку'. Менеджер зв'яжеться з Вами телефоном для узгодження ціни.
Примітка: ми не несемо відповідальності за працездатність мікросхеми в проектах і схемах, розроблених і зібраних самим користувачем або третіми особами. Працездатність може бути гарантоване лише в проектах і схемах, які розроблені виробниками електроніки. Покупець повинен сам оцінити свою компетентність при створенні проекту. При сумнівах в якості виконання мікросхеми виробником, рекомендуємо спочатку купувати пробну партію в одиничних кількостях. При цьому ми можемо зарезервувати для Вас необхідні кількості на термін до 7 днів, щоб вони були саме з цієї партії.

Характеристики:

модель: 30F131;
виробник: Toshiba;
корпус: TO-263-2;
напруга пробою: 360 В;
максимальна напруга колектор-емітер: 300 В;
максимальний струм колектор-емітер: 200 А;
напруга насичення при номінальному струмі: 1,9 В;
потужність: 140 Вт;
робоча температура: -50 - 150 ° C.

Даташит.